ประเภทของ RAM

  DRAM

ย่อมาจาก (Dynamic Random Access Memory)  DRAM คือไดนามิก ซึ่งตรงกันข้ามกับ SRAM หรือ
สแตติกแรม (Static RAM); DRAM ต้องการการรีเฟรช (Refresh) เซลเก็บข้อมูล หรือการประจุไฟ (Charge) ในทุกๆช่วงมิลลิวินาที ในขณะที่ SRAM ไม่ต้องการการรีเฟรชเซลเก็บข้อมูล เนื่องจากมันทำงานบนทฤษฎีของการเคลื่อนที่ของกระแสไฟฟ้าซึ่งมีการเปลี่ยนแปลงใน 2 ทิศทาง ไม่เหมือนกับเซลเก็บข้อมูลซึ่งเป็นเพียงตัวเก็บประจุไฟฟ้าเท่านั้น โดยทั่วไป SRAM มักจะถูกใช้เป็นหน่วยความจำแคช (Cache Memory) ซึ่งโปรเซสเซอร์สามารถเข้าถึงได้เร็วกว่า และเป็น เมโมรี่แบบธรรมดาที่สุด ซึ่งความเร็วขึ้นอยู่กับค่า Access Time หรือเวลาที่ใช้ในการเอาข้อมูลในตำแหน่งที่เราต้องการออกมาให้ มีค่าอยู่ในระดับนาโนวินาที (ns) ยิ่งน้อยยิ่งดี เช่น ชนิด 60 นาโนวินาที เร็วกว่า ชนิด 70 นาโนวินาที เป็นต้น รูปร่างของ DRAM เป็น SIMM 8 บิต (Single-in-line Memory Modules) มี 30 ขา ปกติแล้วข้อมูลใน DRAM จึงถูกเก็บเป็นชุด ๆ แต่ละชุดเรียกว่า Page ถ้าเป็น Fast Page DRAM จะเข้าถึงข้อมูลได้เร็วกว่าปกติสองเท่าถ้าข้อมูลที่เข้าถึงครั้งที่แล้ว เป็นข้อมูลที่อยู่ใน Page เดียวกัน Fast Page DRAM เป็นเมโมรี่ SIMM 32 บิตมี 72ขา (Pentium มีดาต้าบัสกว้าง 64 บิตดังนั้นจึงต้องใส่ SIMM ทีละสองแถวเสมอ)
              ปกติแล้วข้อมูลใน DRAM จึงถูกเก็บเป็นชุด ๆ แต่ละชุดเรียกว่า Page ถ้าเป็น Fast Page DRAM จะเข้าถึงข้อมูลได้เร็วกว่าปกติสองเท่าถ้าข้อมูลที่เข้าถึงครั้งที่แล้ว เป็นข้อมูลที่อยู่ใน Page เดียวกัน Fast Page DRAM เป็นเมโมรี่ SIMM 32 บิตมี 72ขา (Pentium มีดาต้าบัสกว้าง 64 บิตดังนั้นจึงต้องใส่ SIMM ทีละสองแถวเสมอ)

ชนิดและความแตกต่างของ DRAM
 Dynamic Random Access Memory (DRAM)
     DRAM จะทำการเก็บข้อมูลในตัวเก็บประจุ (Capacitor) ซึ่งจำเป็นต้องมีการ refresh เพื่อ เก็บข้อมูล ให้คงอยู่โดยการ refresh นี้ทำให้เกิดการหน่วงเวลาขึ้นในการเข้าถึงข้อมูล และก็เนื่องจากที่มันต้อง refresh ตัวเองอยู่ตลอดเวลานี้เองจึงเป็นเหตุให้ได้ชื่อว่า Dynamic RAM

EDO  RAM

ย่อมจาก จาก Extended Data Out Random Access Memory   คือ EDO Ram นำข้อมูลขึ้นมาเก็บไว้ใน Buffer ด้วย เพื่อว่า ถ้าการขอข้อมูลครั้งต่อไป เป็นข้อมูลในไบต์ถัดไป จะให้เราได้ทันที EDO RAM จึงเร็วกว่า Fast Page DRAM ประมาณ 10 % ทั้งที่มี Access Time เท่ากัน เพราะโอกาสที่เราจะเอาข้อมูลติด ๆกัน มีค่อนข้างสูง EDO มีทั้งแบบ SIMM 32 บิตมี 72 ขา และ DIMM 64 บิตมี 144 ขา

                ความแตกต่างของ EDO RAM
EDO RAM แตกต่างจาก DRAM ได้อย่างเห็นได้ว่า มีความเร็วกว่าประมาณ 10% ทั้งที่มี Access เท่ากัน

SD RAM

ย่อมาจากคำว่า Synchronous Dynamic RAM SDRAM คือหน่วยความจำแรมที่พัฒนามาจาก DRAM เพื่อให้สามารถทำงานร่วมกับระบบบัสความเร็วสูงได้ โดยบริษัทซัมซุงเป็นผู้พัฒนาขึ้นมาในปี ค.ศ.1993 ซึ่งหน่วยความจำก่อนหน้านี้ใช้ระบบบัสแบบอะซิงโครนัส นั่นหมายถึงจังหวะการทำงานของซีพียูกับหน่วยความจำใช้สัญญาณนาฬิกาคนละตัวจังหวะการทำงานที่ไม่ซิงโครไนซ์กัน จึงเป็นปัญหา เพราะเทคโนโลยีซีพียูต้องการความเร็วและมีการสร้างระบบบัสมาตรฐานขึ้นมา ชนิดของ SDRAM เช่น PC66 PC100 PC133 หรือ PC200 เป็นเมโมรี่แบบใหม่ที่เร็วกว่า EDO ประมาณ 25 % เพราะสามารถเรียกข้อมูลที่ต้องการขึ้นมาได้ทันที โดยที่ไม่ต้องรอให้เวลาผ่านไปเท่ากับ Access Time ก่อน หรือเรียกได้ว่า ไม่มี Wait State นั่นเอง ความเร็วของ SDRAM จึงไม่ดูที่ Access Time อีกต่อไป แต่ดูจากสัญญาณนาฬิกาที่ โปรเซสเซอร์ติดต่อกับ Ram เช่น 66, 100 หรือ 133 MHz เป็นต้น SDRAM เป็นแบบ DIMM 64 บิต มี 168 ขา เวลาซึ้อต้องดูด้วยว่า MHz ตรงกับเครื่องที่เราใช้หรือไม่ SDRAM ย่อมาจาก Sychronous DRAM เพราะทำงาน "sync" กับสัญญาณนาฬิกาบนเมนบอร์ด

ชนิดและความแตกต่างของ SD RAM
Static Random Access Memory (SRAM)
     จะต่างจาก DRAM ตรงที่ว่า DRAM ต้องทำการ refresh ข้อมูลอยู่ตลอดเวลา แต่ในขณะที่ SRAM จะเก็บข้อมูล นั้น ๆ ไว้ และจำไม่ทำการ refresh โดยอัตโนมัติ ซึ่งมันจะทำการ refresh ก็ต่อเมื่อ สั่งให้มัน refresh เท่านั้น ซึ่งข้อดีของมันก็คือความเร็ว ซึ่งเร็วกว่า DRAM ปกติมาก แต่ก็ด้วยราคาที่สูงว่ามาก จึงเป็นข้อด้อยของมัน

RDRAM

หรือที่นิยมเรียกว่า RAMBUS มีขา 184 ขา ทำมาเพื่อให้ใช้กับ Pentium4 โดยเฉพาะ(เคยใช้กับ PentiumIII และ Chipset i820 ของ Intel แต่ไม่ประสบผลสำเร็จเนื่องจากมีปัญหาเรื่องระบบไฟจึงยกเลิกไป) มีอัตราการส่งข้อมูลเป็น 4 เท่าของความเร็ว FSB ของตัว RAM คือ มี 4 ทิศทางในการรับส่งข้อมูล เช่น RAM มีความเร็ว BUS = 100 MHz คูณกับ 4 pipline จะเท่ากับ 400 MHz เป็นเมโมรี่แบบใหม่ที่มีความเร็วสูงมาก คิดค้นโดยบริษัท Rambus, Inc. จึงเรียกว่า Rambus DRAM หรือ RDRAM อาศัยช่องทางที่แคบ แต่มีแบนด์วิทด์สูงในการส่งข้อมูลไปยังโปรเซสเซอร์ ทำให้ความเร็วในการทำงานสูงกว่า SDRAM เป็นสิบเท่า RDRAM เป็นทางเลือกทางเดียวสำหรับเมนบอร์ดที่เร็วระดับหลายร้อยเมกกะเฮิร์ดซ์ มีแรมอีกชนิดหนึ่งที่ออกมาแข่งกับ RDRAM มีชื่อว่า Synclink DRAM ที่เพิ่มความเร็วของ SDRAM ด้วยการเพิ่มจำนวน bank เป็น 16 banks แทนที่จะเป็นแค่ 4 banks

DDR SDRAM

ย่อมาจาก Double Data Rate SDRAM เป็นหน่วยความจำที่ถูกพัฒนาเพื่อการทดแทน SDRAM ที่เน้น Throughput หรืออัตราความเร็วในการถ่ายเทข้อมูล ที่คิดเป็นวินาที ที่เรียกว่า DDR เนื่องจากว่า การถ่ายเทข้อมูลของ DDR SDRAM จะเกิดขึ้นถึง 2 ครั้ง ภายใน 1 ลูกของสัญญาณนาฬิกา ขณะที่ SDRAM นั้น จะมีการถ่ายเทข้อมูลในช่วงขอบขาขึ้นของสัญญาณนาฬิกาเท่านั้น ด้วยเหตุนี้ การถ่ายเทข้อมูลจึงเกิดขึ้นเพียง 1 ครั้งต่อ 1 ลูกคลื่นสัญญาณนาฬิกา ซึ่งบางครั้ง จะมีการเรียก SDRAM ว่า SDR (Single data Rate SDRAM) 

 การถ่ายเทข้อมูลของ DDR SDRAM จะเกิดขึ้นทั้งช่วงขอบขาขึ้นและทั้งขอบขาลงของสัญญาณนาฬิกา ลักษณะนี้จะทำให้มีปริมาณการไหลของข้อมูลเป็น 2 เท่าของปกติ ขณะที่ SDRAM นั้นจะมีการถ่ายเทข้อมูลเฉพาะที่ขอบขาขึ้น เท่านั้น ดังนั้นถ้าหากทำงานที่ระบบบัสที่มีความเร็ว 133 MHz ซึ่งเท่ากับ 133 ล้านรอบการทำงาน (Cycle) ต่อวินาที หรือคิดเป็นเวลา 7.5 นาโนวินาทีต่อ 1 รอบ (Cycle) ดังนั้น ภายใน 7.5 นาโนวินาทีจะมีการรับส่งข้อมูล 2 ครั้ง และภายใน 1 วินาทีจะมีการส่งถ่ายข้อมูลถึง 266 ล้านครั้ง

 DDR SDRAM ไม่ใช่เทคโนโลยีใหม่ แต่มีมานานพอสมควร อีกทั้งยังถูกนำมาประยุกต์ใช้กับการ์ดจอที่กราฟิกโปรเซสเซอร์ชิปที่มีคุณภาพสูงอย่าง เช่น GeForce เป็นต้น โดยเทคโนโลยีแนวนี้ ถูกนำมาใช้กับ AGP ซึ่งท่านผู้อ่านที่ติดตามบทความเกี่ยวกับ AGP ของผม ก็คงจำได้ว่า การทำงานของ AGP แบบ 2X นั้น เป็นการถ่ายเทข้อมูลระหว่างหน่วยความจำมายัง AGP Video Card ที่มีการส่งถ่ายข้อมูลถึง 2 ครั้งต่อสัญญาณนาฬิกา 1 ลูก ซึ่งผิดกับการถ่ายเทข้อมูลของ PCI ที่เกิดขึ้นเพียงหนึ่งครั้งต่อสัญญาณนาฬิกา 1 ลูกเท่านั้น 

เทคโนโลยีของ DDR SDRAM จะช่วยเพิ่มประสิทธิภาพการทำงานของเครื่องคอมพิวเตอร์ พีซี หรือ เซิร์ฟเวอร์ สำหรับเครือข่าย รวมทั้งอุปกรณ์ที่เกี่ยวกับการสื่อสาร เช่น สวิตซ์ หรือ เราเตอร์ เป็นต้น