DRAM
ย่อมาจาก (Dynamic Random Access Memory) DRAM คือไดนามิก ซึ่งตรงกันข้ามกับ SRAM หรือ
สแตติกแรม (Static RAM); DRAM ต้องการการรีเฟรช (Refresh) เซลเก็บข้อมูล หรือการประจุไฟ (Charge) ในทุกๆช่วงมิลลิวินาที ในขณะที่ SRAM ไม่ต้องการการรีเฟรชเซลเก็บข้อมูล เนื่องจากมันทำงานบนทฤษฎีของการเคลื่อนที่ของกระแสไฟฟ้าซึ่งมีการเปลี่ยนแปลงใน 2 ทิศทาง ไม่เหมือนกับเซลเก็บข้อมูลซึ่งเป็นเพียงตัวเก็บประจุไฟฟ้าเท่านั้น โดยทั่วไป SRAM มักจะถูกใช้เป็นหน่วยความจำแคช (Cache Memory) ซึ่งโปรเซสเซอร์สามารถเข้าถึงได้เร็วกว่า และเป็น เมโมรี่แบบธรรมดาที่สุด ซึ่งความเร็วขึ้นอยู่กับค่า Access Time หรือเวลาที่ใช้ในการเอาข้อมูลในตำแหน่งที่เราต้องการออกมาให้ มีค่าอยู่ในระดับนาโนวินาที (ns) ยิ่งน้อยยิ่งดี เช่น ชนิด 60 นาโนวินาที เร็วกว่า ชนิด 70 นาโนวินาที เป็นต้น รูปร่างของ DRAM เป็น SIMM 8 บิต (Single-in-line Memory Modules) มี 30 ขา ปกติแล้วข้อมูลใน DRAM จึงถูกเก็บเป็นชุด ๆ แต่ละชุดเรียกว่า Page ถ้าเป็น Fast Page DRAM จะเข้าถึงข้อมูลได้เร็วกว่าปกติสองเท่าถ้าข้อมูลที่เข้าถึงครั้งที่แล้ว เป็นข้อมูลที่อยู่ใน Page เดียวกัน Fast Page DRAM เป็นเมโมรี่ SIMM 32 บิตมี 72ขา (Pentium มีดาต้าบัสกว้าง 64 บิตดังนั้นจึงต้องใส่ SIMM ทีละสองแถวเสมอ)
ปกติแล้วข้อมูลใน DRAM จึงถูกเก็บเป็นชุด ๆ แต่ละชุดเรียกว่า Page ถ้าเป็น Fast Page DRAM จะเข้าถึงข้อมูลได้เร็วกว่าปกติสองเท่าถ้าข้อมูลที่เข้าถึงครั้งที่แล้ว เป็นข้อมูลที่อยู่ใน Page เดียวกัน Fast Page DRAM เป็นเมโมรี่ SIMM 32 บิตมี 72ขา (Pentium มีดาต้าบัสกว้าง 64 บิตดังนั้นจึงต้องใส่ SIMM ทีละสองแถวเสมอ)
สแตติกแรม (Static RAM); DRAM ต้องการการรีเฟรช (Refresh) เซลเก็บข้อมูล หรือการประจุไฟ (Charge) ในทุกๆช่วงมิลลิวินาที ในขณะที่ SRAM ไม่ต้องการการรีเฟรชเซลเก็บข้อมูล เนื่องจากมันทำงานบนทฤษฎีของการเคลื่อนที่ของกระแสไฟฟ้าซึ่งมีการเปลี่ยนแปลงใน 2 ทิศทาง ไม่เหมือนกับเซลเก็บข้อมูลซึ่งเป็นเพียงตัวเก็บประจุไฟฟ้าเท่านั้น โดยทั่วไป SRAM มักจะถูกใช้เป็นหน่วยความจำแคช (Cache Memory) ซึ่งโปรเซสเซอร์สามารถเข้าถึงได้เร็วกว่า และเป็น เมโมรี่แบบธรรมดาที่สุด ซึ่งความเร็วขึ้นอยู่กับค่า Access Time หรือเวลาที่ใช้ในการเอาข้อมูลในตำแหน่งที่เราต้องการออกมาให้ มีค่าอยู่ในระดับนาโนวินาที (ns) ยิ่งน้อยยิ่งดี เช่น ชนิด 60 นาโนวินาที เร็วกว่า ชนิด 70 นาโนวินาที เป็นต้น รูปร่างของ DRAM เป็น SIMM 8 บิต (Single-in-line Memory Modules) มี 30 ขา ปกติแล้วข้อมูลใน DRAM จึงถูกเก็บเป็นชุด ๆ แต่ละชุดเรียกว่า Page ถ้าเป็น Fast Page DRAM จะเข้าถึงข้อมูลได้เร็วกว่าปกติสองเท่าถ้าข้อมูลที่เข้าถึงครั้งที่แล้ว เป็นข้อมูลที่อยู่ใน Page เดียวกัน Fast Page DRAM เป็นเมโมรี่ SIMM 32 บิตมี 72ขา (Pentium มีดาต้าบัสกว้าง 64 บิตดังนั้นจึงต้องใส่ SIMM ทีละสองแถวเสมอ)
ปกติแล้วข้อมูลใน DRAM จึงถูกเก็บเป็นชุด ๆ แต่ละชุดเรียกว่า Page ถ้าเป็น Fast Page DRAM จะเข้าถึงข้อมูลได้เร็วกว่าปกติสองเท่าถ้าข้อมูลที่เข้าถึงครั้งที่แล้ว เป็นข้อมูลที่อยู่ใน Page เดียวกัน Fast Page DRAM เป็นเมโมรี่ SIMM 32 บิตมี 72ขา (Pentium มีดาต้าบัสกว้าง 64 บิตดังนั้นจึงต้องใส่ SIMM ทีละสองแถวเสมอ)
ชนิดและความแตกต่างของ DRAM
Dynamic Random Access Memory (DRAM)
DRAM จะทำการเก็บข้อมูลในตัวเก็บประจุ (Capacitor) ซึ่งจำเป็นต้องมีการ refresh เพื่อ เก็บข้อมูล ให้คงอยู่โดยการ refresh นี้ทำให้เกิดการหน่วงเวลาขึ้นในการเข้าถึงข้อมูล และก็เนื่องจากที่มันต้อง refresh ตัวเองอยู่ตลอดเวลานี้เองจึงเป็นเหตุให้ได้ชื่อว่า Dynamic RAM
Dynamic Random Access Memory (DRAM)
DRAM จะทำการเก็บข้อมูลในตัวเก็บประจุ (Capacitor) ซึ่งจำเป็นต้องมีการ refresh เพื่อ เก็บข้อมูล ให้คงอยู่โดยการ refresh นี้ทำให้เกิดการหน่วงเวลาขึ้นในการเข้าถึงข้อมูล และก็เนื่องจากที่มันต้อง refresh ตัวเองอยู่ตลอดเวลานี้เองจึงเป็นเหตุให้ได้ชื่อว่า Dynamic RAM
EDO RAM
ย่อมจาก จาก Extended Data Out Random Access Memory คือ EDO Ram นำข้อมูลขึ้นมาเก็บไว้ใน Buffer ด้วย เพื่อว่า ถ้าการขอข้อมูลครั้งต่อไป เป็นข้อมูลในไบต์ถัดไป จะให้เราได้ทันที EDO RAM จึงเร็วกว่า Fast Page DRAM ประมาณ 10 % ทั้งที่มี Access Time เท่ากัน เพราะโอกาสที่เราจะเอาข้อมูลติด ๆกัน มีค่อนข้างสูง EDO มีทั้งแบบ SIMM 32 บิตมี 72 ขา และ DIMM 64 บิตมี 144 ขา
ความแตกต่างของ EDO RAM
EDO RAM แตกต่างจาก DRAM ได้อย่างเห็นได้ว่า มีความเร็วกว่าประมาณ 10% ทั้งที่มี Access เท่ากัน
EDO RAM แตกต่างจาก DRAM ได้อย่างเห็นได้ว่า มีความเร็วกว่าประมาณ 10% ทั้งที่มี Access เท่ากัน